现金捕鱼注册

信息存储应用技术
  • 用于安全关键汽车用例的具有存储的测试模式的现场多核自测试控制器的制作方法
    本申请要求于2017年2月13日提交的题为“IN-FIELDSELF-TESTCONTROLLERFORSAFETYCRITICALAUTOMOTIVEUSECASES”的美国临时申请序列号62/458,534和于2017年12月7日提交的题为“IN-FIELDSELF-TESTC...
  • 计算存储单元以及使用存储单元的处理阵列器件的制作方法
    本申请在35USC§§119、364及365条款下要求对于如下申请的优先权:2017年9月19日提交且发明名称为“ComputationalMemoryCellandProcessingArrayDeviceUsingMemoryCells(计算存储单元以及使用存储单元的处理阵...
  • 具有静态随机存取存储器的三维存储器件的高速缓存程序操作的制作方法
    本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。通过改善工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺,平面存储单元被缩放到更小尺寸。不过,随着存储单元的特征尺寸接近下限,平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果,平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储器架构能够解决平面存储单元中的密度限制。...
  • 采用自对准的顶栅薄膜晶体管的嵌入式存储器的制作方法
    嵌入式存储器可以与主机IC集成作为多芯片模块(MCM),或者可以与主机IC单片集成(即,存储器和主机IC二者被制造在相同的芯片上)。对于嵌入式存储器应用,减小总体存储器阵列占用空间有助于实现更大的存储器和/或减小器件成本。一种形式的嵌入式存储器是嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)。eDRAM的...
  • 有源边界拼布架构存储器的制作方法
    本专利申请案主张由劳伦特(Laurent)在2017年2月16日申请的标题为“有源边界拼布架构存储器(ActiveBoundaryQuiltArchitectureMemory)”的第15/434,401号美国专利申请案的优先权,所述案转让给其受让人。下文大体上涉及存储器装置且更特...
  • 数据存储设备的信息检测平台及方法与流程
    本发明涉及数据处理,特别是涉及数据存储设备的信息检测平台及方法。电子数据存储设备是目前非常常用的数据存储方式,市面上常见的存储介质有SD卡、SM卡、记忆棒U盘及使用最为普遍的硬盘。由于这些数据存储设备的信息不能直观获取,需要通过一定的设备、软件等读取,因此对现场刑侦证据采集带来了难...
  • 存储设备测试方法、装置、电子设备与流程
    本申请涉及存储,尤其涉及存储设备测试方法、装置、电子设备及机器可读存储介质。多线程(multithreading),是指从软件或者硬件上实现多个线程并发执行的技术。具有多线程能力的计算机因有硬件支持而能够在同一时间执行多于一个线程,进而提升整体处理性能。具有这种能力的系统包括对称多...
  • EMMC芯片测试系统的制作方法
    本申请涉及电子产品测试领域,特别是涉及一种EMMC芯片测试系统。EMMC(EmbeddedMultiMediaCard)为嵌入式多媒体卡。EMMC采用统一的MMC标准接口,把高密度NAND-Flash(Flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉...
  • 一种系统芯片中BIST与ECC结合的存储器检测装置的制作方法
    本发明涉及到存储器的内建自测试领域,尤其涉及一种系统芯片中BIST与ECC结合的存储器检测装置。如今半导体制造商大多注重存储阵列技术中表现其容量、工艺技术、质量等方面的领先。系统芯片(soc,SystemonChip)又称片上系统,就是在单个芯片上集成一个完整的系统。系统芯片主要应用于...
  • 一种系统芯片中BIST与ECC结合的存储器检测方法与流程
    本发明涉及到存储器BIST检测领域,具体涉及到一种系统芯片中BIST与ECC结合的存储器检测方法。高复杂度的片上系统产品正面临来自质量、上市周期、可靠性等日益严峻的挑战。如今半导体制造商大多注重存储阵列技术中表现其容量、工艺技术、质量等方面的领先。与此同时,嵌入式存储器作为soc(Syst...
  • 一种eMMC的调试方法和装置与流程
    本发明涉及eMMC,尤其涉及一种eMMC的调试方法和装置。eMMC(EmbeddedMultiMediaCard,嵌入式多媒体卡)是一种嵌入式存储器产品,广泛应用于智能终端中。在实际应用中,eMMC焊接在智能终端的主板上,与智能终端的主控芯片进行数据传输。通常情况下,Linu...
  • NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器与流程
    本发明涉及半导体存储,具体涉及一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器。在NAND闪存单元的擦除操作中,阵列阱是高压偏置的,而位线是悬空的,这就导致位线会被阵列阱上的高压偏置耦合到高压,因此在每个读出放大器中需要高压器件来分离低压器件。通常,将多个高压器件设置在一...
  • 非易失存储器读出电路及读出方法与流程
    本发明涉及集成电路,特别是涉及一种非易失存储器读出电路及读出方法。在集成电路制造领域,随着工艺节点不断缩小,传统的电荷类存储器受到越来越大的限制。各种各样的新型存储器和新型结构被发明出来以突破原有的极限:MLCNAND,MLCNOR,TLCNAND,MRAM,RRAM,FeR...
  • 读取电压最佳化方法以及存储控制器与流程
    本发明涉及一种读取电压最佳化方法,尤其涉及一种适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置的读取电压最佳化方法以及存储控制器。一般来说,在对可复写式非易失性存储器模块读取数据时,若页面读取失败的情况没有发生,系统会使用预设读取电压组或之前用过的最佳读取电压组来读取数据。直到读取失败的情...
  • 一种存储单元阵列外围电路及存储器件的制作方法
    本申请涉及存储器,尤其涉及一种存储单元阵列外围电路及存储器件。闪存(NANDFlash)存储器件是具有功耗低、质量轻且性能佳的非易失存储产品,在电子产品中得到了广泛的应用。而随着大数据时代的到来,平面结构的NAND器已近实际扩展的极限,为了进一步的提高存储容量,降低每比特的存储成...
  • 非易失性存储器及其操作方法与流程
    本发明涉及半导体器件的,尤其涉及一种非易失性存储器及其操作方法。半导体存储器可以包括易失性存储器(volatilememory,VM)和非易失性存储器(nonvolatilememory,NVM)。易失性存储器通常可以作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质,如内存。当电源...
  • 磁存储装置的制作方法
    本申请案享有以日本专利申请2018-51178号(申请日:2018年3月19日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。实施方式涉及一种磁存储装置。作为磁存储装置,已知使用具有多个磁区的磁性细线的磁存储装置。发明内容实施方式提供一种能够进行稳...
  • 一种快速配置FPGA的配置存储器的电路的制作方法
    本说明书涉及FPGA,尤其涉及一种快速配置FPGA的配置存储器的电路。在基于SRAM(静态随机存取存储器,StaticRandom-AccessMemory)的FPGA芯片中,查找表LUT等的配置信息都存储在SRAM中,这种SRAM称之为配置存储器。在芯片正常工作之前,需...
  • 存储器驱动电路及其阻抗匹配方法、半导体存储器与流程
    本发明涉及半导体存储,尤其涉及一种存储器驱动电路及其阻抗匹配方法、半导体存储器。DRAM(动态随机存取存储器)的数据率随着其发展演进而越来越高,因而反射问题越来越受到重视。消除信号反射的最佳办法是阻抗匹配,减少线路阻抗的不连续性。因此高精度的驱动电阻和端接电阻十分有必要。在DDR4...
  • 具有可配置输入/输出接口的存储器装置的制作方法
    本专利申请案要求2018年8月8日申请的题为“具有可配置输入/输出接口的存储器装置(MemoryDevicewithConfigurableInput/OutputInterface)”的Hollis的美国专利申请案第16/058,566号的优先权,且要求2018年8月8日申请的题为“具...
技术分类